APT45M100J
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Technische Details APT45M100J
Description: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500pF @ 25V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 33A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Part Status: Active, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Supplier Device Package: SOT-227, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 960W (Tc).
Preis APT45M100J ab 0 EUR bis 0 EUR
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APT45M100J Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Material: APT45M100J Transistor modules MOSFET 
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APT45M100J Hersteller: Microsemi IGBT Transistors Power MOSFET - MOS8
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auf Bestellung 10 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500pF @ 25V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 33A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Supplier Device Package: SOT-227 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
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