APT80GP60B2G Microchip Technology
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Technische Details APT80GP60B2G Microchip Technology
Description: IGBT 600V 100A 1041W TMAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 1041 W.
Weitere Produktangebote APT80GP60B2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT80GP60B2G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT80GP60B2G | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT80GP60B2G THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT80GP60B2G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 100A 1041W TMAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1041 W |
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