APT80GP60B2G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A TMAX
Power - Max: 1041 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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Technische Details APT80GP60B2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A TMAX, Power - Max: 1041 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Input Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote APT80GP60B2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APT80GP60B2G | Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT80GP60B2G |
|
Hersteller: Microchip Technology
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX
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