APTC90DSK12T1G
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Technische Details APTC90DSK12T1G
Description: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1, Package / Case: SP1, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 250W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, FET Feature: Super Junction, FET Type: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SP1, Packaging: Tray.
Preis APTC90DSK12T1G ab 0 EUR bis 0 EUR
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APTC90DSK12T1G Hersteller: Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 250W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Drain to Source Voltage (Vdss): 900V FET Feature: Super Junction FET Type: 2 N Channel (Dual Buck Chopper) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SP1 Packaging: Tray 
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