APTM10AM02FG

APTM10AM02FG

Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM10AM02FG Transistor modules MOSFET
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Technische Details APTM10AM02FG

Description: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6, Supplier Device Package: SP6, Package / Case: SP6, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Power - Max: 1250W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, FET Feature: Standard, FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge), Part Status: Active, Packaging: Bulk.

Preis APTM10AM02FG ab 0 EUR bis 0 EUR

APTM10AM02FG
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Material: APTM10AM02FG Transistor modules MOSFET
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APTM10AM02FG
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 100V 495A 7-Pin Case SP-6 Tube
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APTM10AM02FG
Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules CC6034
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Hersteller: Microsemi
Trans MOSFET N-CH 100V 495A 7-Pin Case SP-6 Tube
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APTM10AM02FG
APTM10AM02FG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Supplier Device Package: SP6
Package / Case: SP6
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Power - Max: 1250W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
FET Feature: Standard
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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