APTM10UM01FAG Microchip Technology
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Technische Details APTM10UM01FAG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 100V; 640A; SP6C; Idm: 2200A; 2.5kW, Technology: FREDFET; POWER MOS 5®, Case: SP6C, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 640A, On-state resistance: 1.6mΩ, Power dissipation: 2.5kW, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 2200A, Semiconductor structure: single transistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM10UM01FAG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| APTM10UM01FAG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
 Discrete Semiconductor Modules CC6092 |
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| APTM10UM01FAG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 100V 860A 5-Pin Case SP-6 Tube |
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| APTM10UM01FAG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 640A; SP6C; Idm: 2200A; 2.5kW Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Case: SP6C Drain-source voltage: 100V Drain current: 640A On-state resistance: 1.6mΩ Power dissipation: 2.5kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2200A Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APTM10UM01FAG | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 860A SP6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APTM10UM01FAG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 640A; SP6C; Idm: 2200A; 2.5kW Technology: FREDFET; POWER MOS 5® Case: SP6C Drain-source voltage: 100V Drain current: 640A On-state resistance: 1.6mΩ Power dissipation: 2.5kW Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 2200A Semiconductor structure: single transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |