APTM50HM75SCTG Microchip Technology
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Technische Details APTM50HM75SCTG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 357W, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Drain current: 34A, Drain-source voltage: 500V, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Case: SP4, On-state resistance: 90mΩ, Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM50HM75SCTG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7®; SiC Drain current: 34A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 90mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules CC4034 |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7®; SiC Drain current: 34A Drain-source voltage: 500V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP4 On-state resistance: 90mΩ Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor |
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