
APTM50HM75SCTG Microchip Technology
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Technische Details APTM50HM75SCTG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 34A, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 90mΩ, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 357W, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APTM50HM75SCTG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 90mΩ Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7®; SiC Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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APTM50HM75SCTG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 34A Case: SP4 Electrical mounting: FASTON connectors; screw On-state resistance: 90mΩ Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 357W Technology: POWER MOS 7®; SiC Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor |
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