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APTM50HM75SCTG

APTM50HM75SCTG Microchip Technology


10298194-aptm50hm75sctg-rev2-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 46A 20-Pin Case SP-4 Tube
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Technische Details APTM50HM75SCTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 34A, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 90mΩ, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 357W, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APTM50HM75SCTG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 90mΩ
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 357W
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM50HM75SCTG Hersteller : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Description: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
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APTM50HM75SCTG Hersteller : Microchip / Microsemi index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Discrete Semiconductor Modules CC4034
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APTM50HM75SCTG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8194 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 34A; SP4; Idm: 184A; 357W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 90mΩ
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 357W
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: H bridge + parrallel diodes + sereies diodes; NTC thermistor
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