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AT45DB021E-SHN-B

AT45DB021E-SHN-B Renesas / Dialog

REN_DS_AT45DB021E_8789L_082022_DST_20220811_1-3075900.pdf Hersteller: Renesas / Dialog
NOR Flash 2 Mbit, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, 264 Byte Binary Page Mode, SOIC-W 208mil (Tube), Single SPI DataFlash
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Technische Details AT45DB021E-SHN-B Renesas / Dialog

Description: RENESAS - AT45DB021E-SHN-B - Flash-Speicher, DataFlash, serieller NOR-Flash-Speicher, 2MB, 1024 Seiten x 264 Byte, SPI, WSOIC-8, tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Speicherdichte: 2Mbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: -ns, Versorgungsspannung, nom.: -V, Taktfrequenz, max.: 70MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.65V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 1024 Seiten x 264 Bytes.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AT45DB021E-SHN-B AT45DB021E-SHN-B Hersteller : Renesas Electronics Corporation at45db021e-datasheet?r=1608891 Description: IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH
Clock Frequency: 70 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8µs, 3ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 264 Bytes x 1024 pages
DigiKey Programmable: Verified
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AT45DB021E-SHN-B AT45DB021E-SHN-B Hersteller : RENESAS 2631254.pdf Description: RENESAS - AT45DB021E-SHN-B - Flash-Speicher, DataFlash, serieller NOR-Flash-Speicher, 2MB, 1024 Seiten x 264 Byte, SPI, WSOIC-8
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Speicherdichte: 2Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: -V
Taktfrequenz, max.: 70MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1024 Seiten x 264 Bytes
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