BC817-25QBZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 42+ | 0.62 EUR |
| 61+ | 0.43 EUR |
| 125+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2000+ | 0.11 EUR |
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Technische Details BC817-25QBZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote BC817-25QBZ nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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BC817-25QBZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC817-25QB/SOT8015/DFN1110D-3 |
auf Bestellung 5854 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BC817-25QBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC817QB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-25QBZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC817-25QBZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW |
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