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BC817-25QBZ

BC817-25QBZ Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 460mW 3-Pin DFN-D EP T/R
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Technische Details BC817-25QBZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 160hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC817QB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC817-25QBZ BC817-25QBZ NEXPERIA 3047928.pdf Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BC817-25QBZ BC817-25QBZ Nexperia BC817QB_SER-2886021.pdf Bipolar Transistors - BJT BC817-25QB/SOT8015/DFN1110D-3
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BC817-25QBZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC817QB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817-25QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BC817-25QBZ
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Bipolar Transistors - BJT BC817-25QB/SOT8015/DFN1110D-3
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