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BC856B-7-F

BC856B-7-F Diodes Zetex

ds11207.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC856B-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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2580+ 0.028 EUR
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3020+ 0.024 EUR
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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc856_7_8.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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3000+0.083 EUR
6000+ 0.078 EUR
9000+ 0.066 EUR
30000+ 0.061 EUR
75000+ 0.053 EUR
150000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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533+ 0.27 EUR
534+ 0.25 EUR
535+ 0.24 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 532
BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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534+0.29 EUR
535+ 0.28 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 534
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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011538025_1-2543623.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
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211+ 0.25 EUR
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9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 108
BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5083 Stücke:
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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC856B-7-F BC856B-7-F Hersteller : Diodes Inc ds11207.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856B-7-F Hersteller : Diodes INC. ds11207.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 65; Ic = 100 мА; ft, МГц = 200; hFE = 220 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА; Р, Вт = 0,3; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 54214 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
176+0.038 EUR
189+ 0.033 EUR
205+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 176
BC856B-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11207.pdf
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