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BC856B-7-F

BC856B-7-F Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC856B-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BC856B-7-F nach Preis ab 0.032 EUR bis 6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856B-7-F BC856B-7-F Diodes Zetex bc856abc858c.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856B-7-F BC856B-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC856B-7-F BC856B-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
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BC856B-7-F Diodes INC. BC856_DiodesINC.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 200, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
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Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 200, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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