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BC857BM,315

BC857BM,315 Nexperia

1511480344549483bc857m_series.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857BM,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : NEXPERIA PIRSS03136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : NEXPERIA PIRSS03136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 24040 Stücke:
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : NEXPERIA 1511480344549483bc857m_series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857M_SERIES.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857M_SERIES.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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BC857BM,315 BC857BM,315 Hersteller : Nexperia BC857M_SERIES.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BM/SOT883/XQFN3
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BC857BM,315 Hersteller : NEXPERIA BC857M_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.43W
Case: DFN1006-3; SOT883
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 220...475
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