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Technische Details BC857BM,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC857BM,315 nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC857BM,315 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R |
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BC857BM,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BC857BM,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R |
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BC857BM,315 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R |
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BC857BM,315 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BC857BM,315 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857BM/SOT883/XQFN3 |
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BC857BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BC857BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857M Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BC857BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW Automotive 3-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BC857BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.43W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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| BC857BM,315 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 430mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.43W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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