BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 130 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Weitere Produktangebote BCR133E6327HTSA1 nach Preis ab 0.057 EUR bis 0.59 EUR
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
auf Bestellung 54209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 44385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd; Тип стр. = NPN; Ic = 100 мА; ft, МГц = 130; hFE = 30 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; R1, кОм = 10; R2, кОм = 10; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА; Uсe, B = 50; Р, Вт = 0,2; Тексп, °C = -65...+150; SOT-23-3 |
auf Bestellung 1008 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 BCR133 TBCR133 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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