BCR133E6327HTSA1
Produktcode: 204054
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 BCR133 TBCR133 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17069 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 17069 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Група товару: Т Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1863 Stücke: |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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BCR133E6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA |
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