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BCR133E6327HTSA1

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr133series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 81000 Stücke:
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BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 Infineon info-tbcr133.pdf BCR133 NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 TBCR133
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
198+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 13814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.96 EUR
622+0.37 EUR
725+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
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BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 13814 Stücke:
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260+0.96 EUR
622+0.37 EUR
725+0.3 EUR
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BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR133_Infineon.pdf Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Кор
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BCR133E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BCR133E6327HTSA1
Hersteller: Infineon
BCR133 NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 TBCR133
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BCR133E6327HTSA1 SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR133E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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BCR133E6327HTSA1 SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR133E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 13814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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260+0.96 EUR
622+0.37 EUR
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BCR133E6327HTSA1 BCR133_Infineon.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Кор
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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