BD13516

BD135-16

Hersteller: NXP
NPN 1,5A 45V 12,5W Trans. BD135-16 TO126 LGE TBD13516 c
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Technische Details BD135-16

Description: TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32, Power - Max: 1.25 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: SOT-32, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Tube.

Preis BD135-16 ab 0.15 EUR bis 1.26 EUR

BD135-16
Hersteller: NXP
NPN 1,5A 45V 12,5W Trans. BD135-16 TO126 LGE TBD13516 c
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BD135-16
Hersteller: LGE
NPN 1A 45V 6,5W 50MHz Trans. BD135-16 TO126 CDIL TBD13516cd
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BD135-16
Hersteller: LGE
NPN 1A 45V 6,5W 50MHz Trans. BD135-16 TO126 CDIL TBD13516cd
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BD135-16
Hersteller: LGE
NPN 1A 45V 6,5W 50MHz Trans. BD135-16 TO126 CDIL TBD13516cd
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BD135-16
Hersteller: ST
NPN 1,5A 45V 12,5W Trans. BD135-16 TO126 TBD13516
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BD135-16
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD135-16 NPN THT transistors
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BD135-16
BD135-16
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-32
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
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BD135-16
BD135-16
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
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BD135-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD135-16
BD135-16
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD135-16 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 12.5
DC Current Gain hFE: 40
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 1.5
Transistor Case Style: SOT-32
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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BD135-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD135-16
Hersteller:
BD135-16 TRANSISTOR NPN 45V 1.5A 8W HEF=100-250 TO126
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BD135-16
Hersteller: CDIL
Material: BD135-16-CDI NPN THT transistors
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Hersteller:
BD135-16 TRANSISTOR NPN 45V 1.5A 8W HEF=100-250 TO126
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Hersteller:
BD135-16 TRANSISTOR NPN 45V 1.5A 8W HEF=100-250 TO126
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Hersteller: ST
NPN TRANSISTOR 45V 1,5A SOT32
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BD13516
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT
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BD135-16
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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