BD179 ON
Produktcode: 81888
Hersteller: ONGehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80
Ic,A: 3
h21: 100
Bem.: 30W
ZCODE: THT
verfügbar 13 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.51 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
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Weitere Produktangebote BD179
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BD179 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD179 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD179 |
auf Bestellung 15200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BD179 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD179 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD179 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 3A SOT32 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2V, 1A Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD179 | Hersteller : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD179 | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN |
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