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BD179

BD179 ON

bd179-d.pdf BD179.pdf
Produktcode: 81888
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80
Ic,A: 3
h21: 100
Bem.: 30W
ZCODE: THT
verfügbar 13 Stück:
Anzahl Preis
1+0.51 EUR
10+0.45 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD179 BD179 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861462.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD179 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD179 bd179-d.pdf BD179.pdf
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD179 BD179 Hersteller : STMicroelectronics 3718cd00000935.pdf Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD179 BD179 Hersteller : onsemi bd179-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
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BD179 BD179 Hersteller : STMicroelectronics BD179.pdf Description: TRANS NPN 80V 3A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2V, 1A
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
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BD179 BD179 Hersteller : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00000935.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
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BD179 BD179 Hersteller : onsemi BD179_D-1802354.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
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