BD179

BD179

Produktcode: 81888
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-126
fT: 3 MHz
Uceo,V: 80
Ic,A: 3
h21: 100
Bem.: 30W

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Technische Details BD179

Preis BD179 ab 0.45 EUR bis 0.51 EUR

BD179
BD179
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
3718cd00000935.pdf
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BD179
BD179
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD179 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-126, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 30
DC Current Gain hFE: 100
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 3
Transistor Case Style: TO-126
Transition Frequency ft: 3
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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1533 Stücke
BD179
Hersteller:

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15200 Stücke
BD179
BD179
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
BD179_D-2310429.pdf
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BD179
BD179
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
BD179_D-2310429.pdf
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BD179
BD179
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpose Sw
stmicroelectronics_cd00000935-1204657.pdf
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BD179
BD179
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 3A SOT-32
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 30W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2V, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: STMicroelectronics
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package: SOT-32
Base Part Number: BD179
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BD179
BD179
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 3A TO-225
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 3MHz
Power - Max: 30W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: onsemi
Base Part Number: BD179
Supplier Device Package: TO-126
bd179-d.pdf
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BD179
BD179
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 3A SOT32
Base Part Number: BD179
Supplier Device Package: TO-126
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Bulk
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Frequency - Transition: 3MHz
Power - Max: 30W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
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10nF 50V Z5V Z(-20/+80%) D<=5mm (HF1H103Z-L515B)
Produktcode: 2048
Y1_cap_081111.pdf
10nF 50V Z5V Z(-20/+80%) D<=5mm (HF1H103Z-L515B)
Hersteller: HitanoHitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=5mm
Part Nummer: HF1H103Z-L515B
№ 8: 8532220000
5000 Stück - stock Köln
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100+ 0.0054 EUR
1000+ 0.0034 EUR
47nF 50V Z5V Z(-20/+80%) (HF1H473Z-L515B)
Produktcode: 1292
h-class2_ceramic-disk-capicators-datasheet-hitano.pdf
47nF 50V Z5V Z(-20/+80%) (HF1H473Z-L515B)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische - Kondensatoren keramische scheibenförmig und axial
Kapazität: 47nF
Nennspannung: 50V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=5mm
Part Nummer: HF1H473Z-L515B
auf Bestellung 7158 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
TL494CN
Produktcode: 36468
TL494-D.pdf suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CN
Hersteller: TI
IC - IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
20 Stück - stock Köln
433 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 843 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.29 EUR
10+ 0.26 EUR
Möglichen Substitutionen
MB3759
Produktcode: 30735
2SD669AC (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 37267
2sd669ac.pdf
2SD669AC (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: MCC
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 1.0 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 1,5
h21: 200
109 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.25 EUR
10+ 0.23 EUR