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BD681S ONSEMI


FAIRS18550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD681S - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-126-3
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details BD681S ONSEMI

Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 40 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BD681S BD681S Hersteller : ON Semiconductor 1071338143328623bd679a.pdf Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
BD681S BD681S Hersteller : onsemi Description: TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 40 W
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BD681S Hersteller : onsemi / Fairchild Darlington Transistors NPN/4A/100V/DARL TO-126
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