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BSH105,215

BSH105,215 Nexperia

173295327811018bsh105.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSH105,215 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 417mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V.

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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia 173295327811018bsh105.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH105.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia 173295327811018bsh105.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : NEXPERIA BSH105.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 417mW
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.67A
On-state resistance: 0.375Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : NEXPERIA BSH105.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 417mW
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.67A
On-state resistance: 0.375Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia 173295327811018bsh105.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia 173295327811018bsh105.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia BSH105-2937838.pdf MOSFET BSH105/SOT23/TO-236AB
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH105.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : NEXPERIA 173295327811018bsh105.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
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BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 38388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : NEXPERIA 173295327811018bsh105.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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BSH105,215 Hersteller : NXP BSH105.pdf N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSH105,215 Hersteller : NXP BSH105.pdf N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
BSH105,215 BSH105,215 Hersteller : Nexperia 173295327811018bsh105.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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