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BSH105,215 Nexperia

Name: BSH105,215
Brand: Nexperia
SKU: 21162271-5
Price: 300.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details BSH105,215 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 417mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ), Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V.

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BSH105,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R

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Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V

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BSH105,215

Hersteller : NEXPERIA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949E9ED0FB798747&compId=BSH105.pdf?ci_sign=b01f067e5d6016f2de3dc819bf1846377c5bd022

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
On-state resistance: 375mΩ
Power dissipation: 417mW
Drain current: 0.67A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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BSH105,215

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BSH105,215

Hersteller : Nexperia

MOSFETs SOT23 N-CH 20V 1.05A

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BSH105,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.05A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 570mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 16 V

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BSH105,215

Hersteller : NXP

N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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Hersteller : NXP

N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105
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BSH105,215

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0003059515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - BSH105,215 - MOSFET, N-KANAL, 20V, 1.05A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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