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BSH105,215

BSH105,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSH105,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.05A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV, Verlustleistung: 417mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BSH105,215 BSH105,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV
Verlustleistung: 417mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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BSH105,215 BSH105,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV
Verlustleistung: 417mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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BSH105,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV
Verlustleistung: 417mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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BSH105,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.05A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV
Verlustleistung: 417mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.05A 3-Pin SOT-23 T/R
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