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BSH105,215

BSH105,215 NXP

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Hersteller: NXP
N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105
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Technische Details BSH105,215 NXP

Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.05A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 570mV, Verlustleistung: 417mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSH105,215 BSH105,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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BSH105,215 BSH105,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH105,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.05 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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BSH105,215
Hersteller: NEXPERIA
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BSH105,215
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