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BSH201,215 Nexperia

Name: BSH201,215
Brand: Nexperia
SKU: 8434130-5
Price: 0.14 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details BSH201,215 Nexperia

Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 417mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min), Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V.

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BSH201,215

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSH201,215

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BSH201,215

Hersteller : NEXPERIA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 4.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
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BSH201,215

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BSH201,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V

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BSH201,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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3000+	0.13 EUR
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BSH201,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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365+	0.4 EUR
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588+	0.23 EUR
660+	0.19 EUR
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3000+	0.13 EUR
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BSH201,215

Hersteller : Nexperia

MOSFET BSH201/SOT23/TO-236AB

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BSH201,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V

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BSH201,215

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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BSH201,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSH201,215

Hersteller : NXP

Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
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BSH201,215

Hersteller : NXP/Nexperia/We-En

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мA; Ptot, Вт = 0,417; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48; Qg, нКл = 3 @ 10 В; Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА; SOT-23-3

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10+	0.62 EUR
100+	0.51 EUR

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BSH201,215

Hersteller : NXP Semiconductors

SOT-23

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BSH201,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSH201,215
Produktcode: 116680

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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