BSH201,215
Produktcode: 116680
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BSH201,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 80134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 28417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH201,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 28417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSH201,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| BSH201,215 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2109+ | 0.32 EUR |
| 10000+ | 0.27 EUR |
| BSH201,215 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 315+ | 0.74 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1500+ | 0.25 EUR |
| BSH201,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 1.12 EUR |
| 315+ | 0.74 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1500+ | 0.25 EUR |



