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BSH201,215

BSH201,215 Nexperia

bsh201.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSH201,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH201.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949ED1CB94312747&compId=BSH201.pdf?ci_sign=d60860fda8ac0e4b9b60ad257732566c6965b650 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
136+0.53 EUR
187+0.38 EUR
260+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949ED1CB94312747&compId=BSH201.pdf?ci_sign=d60860fda8ac0e4b9b60ad257732566c6965b650 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
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Polarisation: unipolar
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Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH201.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia BSH201.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 60V .3A
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28417 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28417 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA 454165.pdf Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21000 Stücke:
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BSH201,215 Hersteller : NXP BSH201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2270 Stücke:
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Anzahl Preis
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSH201,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BSH201.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мA; Ptot, Вт = 0,417; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48; Qg, нКл = 3 @ 10 В; Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА; SOT-23-3
auf Bestellung 8 Stücke:
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BSH201,215 Hersteller : NXP Semiconductors BSH201.pdf SOT-23
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSH201,215 BSH201,215 Hersteller : NEXPERIA 169836107830299bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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