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BSH201,215

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSH201,215 BSH201,215 Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
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BSH201,215 BSH201,215 Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 NEXPERIA 454165.pdf Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
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BSH201,215 BSH201,215 Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH201,215 BSH201,215 Nexperia bsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
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267+0.63 EUR
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BSH201,215 BSH201,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28417 Stücke:
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224+1.12 EUR
315+0.74 EUR
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730+0.3 EUR
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BSH201,215 BSH201,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSH201,215 BSH201,215 NXP info-tbsh201.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSH201,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10535 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10735 Stücke:
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BSH201,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSH201,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 113891 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10000+0.27 EUR
100000+0.23 EUR
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BSH201,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 305 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
186+0.94 EUR
267+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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BSH201,215 NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSH201,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28417 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
224+1.12 EUR
315+0.74 EUR
503+0.43 EUR
730+0.3 EUR
1500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
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BSH201,215 NEXP-S-A0002882570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSH201,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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730+0.3 EUR
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BSH201,215
Hersteller: NXP
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2270 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2270 Stücke
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