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Technische Details BSS63,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSS63,215 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSS63,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BSS63,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz |
auf Bestellung 2845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 16966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BSS63/SOT23/TO-236AB |
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BSS63,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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