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BSS63,215

BSS63,215 Nexperia

bss63.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS63,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : Nexperia bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C1CEA2664B73D3&compId=BSS63.pdf?ci_sign=b151363c012aa8e7ed0e167f541b84349f0c0381 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
391+0.18 EUR
521+0.14 EUR
1226+0.058 EUR
1374+0.052 EUR
1454+0.049 EUR
1511+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE890C1CEA2664B73D3&compId=BSS63.pdf?ci_sign=b151363c012aa8e7ed0e167f541b84349f0c0381 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 85MHz
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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50+0.35 EUR
82+0.22 EUR
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1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : Nexperia BSS63.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP high-voltage transistor
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8+0.36 EUR
13+0.22 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.072 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS63,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS63,215 BSS63,215 Hersteller : NEXPERIA 22bss63.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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