BST60,115 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BST60 - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.3 W
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Technische Details BST60,115 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - BST60,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 45 V, 1.3 W, 1 A, TO-243, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - HF-Transistor: TO-243, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BST60,115 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SOT89.jpg "BST60,115") |
BST60,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.3 W |
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BST60,115 | Hersteller : Nexperia |
Darlington Transistors BST60/SOT89/MPT3 |
auf Bestellung 3880 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BST60,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 1373 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BST60,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST60,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 45 V, 1.3 W, 1 A, TO-243, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-243 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST60,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST60,115 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 45 V, 1.3 W, 1 A, TO-243, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2000hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - HF-Transistor: TO-243 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BST60,115 | Hersteller : NXP |
Description: NXP - BST60,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BST60,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BST60,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1672 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BST60,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.3W Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BST60,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.3W Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
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