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Foto Bezeichnung Tech.inf. Hersteller Beschreibung verfügbar/auf Bestellung
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74LVC00ADB,118 74LVC00ADB,118 74LVC00A.pdf NXP USA Inc. Description: NOW NEXPERIA 74LVC00ADB - NAND G
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Base Part Number: 74LVC0
auf Bestellung 37675 Stücke
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auf Bestellung 1925 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
LPC1786FBD208,551 LPC1786FBD208,551 LPC178X_7X.pdf NXP USA Inc. Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 208LQFP
Package / Case: 208-LQFP
Packaging: Bulk
Number of I/O: 165
Part Status: Active
Supplier Device Package: 208-LQFP (28x28)
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, LCD, Motor Control PWM, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Microwire, Memory Card, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB OTG
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 3.6V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 8x12b; D/A 1x10b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 4K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 80K x 8
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
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PCA9539PW,118 PCA9539PW,118 PCA9539_PCA9539R.pdf NXP USA Inc. Description: IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Clock Frequency: 400kHz
Current - Output Source/Sink: 10mA, 25mA
Output Type: Push-Pull
Features: POR
Interrupt Output: Yes
Interface: I²C, SMBus
Number of I/O: 16
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: PCA9539
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
auf Bestellung 4677 Stücke
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FRDM-KE15Z FRDM-KE15Z KE1XZ256PB.pdf NXP USA Inc. Description: FREEDOM KE1XZ EVAL BRD
Manufacturer: NXP USA Inc.
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Board Type: Evaluation Platform
Type: MCU 32-Bit
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Platform: Freedom
Utilized IC / Part: KE1xZ
Mounting Type: Fixed
Contents: Board(s)
Base Part Number: FRDM-KE15
auf Bestellung 27 Stücke
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PXLS81733AESR2 NXP USA Inc. Description: 2 AXIS HI/HI YZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Base Part Number: PXLS81
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MC9S08SE8VWL MC9S08SE8VWL MC9S08SE8.pdf NXP USA Inc. Description: IC MCU 8BIT 8KB FLASH 28SOIC
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
RAM Size: 512 x 8
Program Memory Size: 8KB (8K x 8)
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
Number of I/O: 24
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-SOIC
Peripherals: LVD, POR, PWM
Connectivity: LINbus, SCI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 10x10b
Core Processor: S08
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
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IRFZ24N,127 IRFZ24N,127 IRFZ24N.pdf NXP USA Inc. Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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SPC5603BF2VLH4 SPC5603BF2VLH4 MPC5604BC.pdf NXP USA Inc. Description: IC MCU 32BIT 384KB FLASH 64LQFP
Manufacturer: NXP USA Inc.
Packaging: Tray
Part Status: Active
Core Processor: e200z0h
Core Size: 32-Bit
Speed: 48MHz
Connectivity: CANbus, I²C, LINbus, SCI, SPI
Peripherals: DMA, POR, PWM, WDT
Number of I/O: 45
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
RAM Size: 28K x 8
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Data Converters: A/D 12x10b
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Base Part Number: SPC5603
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auf Bestellung 197 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
TDA8932BTW/N2,118 TDA8932BTW/N2,118 TDA8932B.pdf NXP USA Inc. Description: IC AMP D MONO/STER 55W 32HTSSOP
Part Status: Not For New Designs
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: 32-TSSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package: 32-HTSSOP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Features: Depop, Differential Inputs, Mute, Short-Circuit and Thermal Protection
Voltage - Supply: 10V ~ 36V, ±5V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 55W x 1 @ 8Ohm; 26.5W x 2 @ 4Ohm
Output Type: 1-Channel (Mono) or 2-Channel (Stereo)
Type: Class D
auf Bestellung 2210 Stücke
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PDTC143EE,115 PDTC143EE,115 PDTC143E_SER.pdf NXP USA Inc. Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 146921 Stücke
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15000+ 0.049 EUR
HTRC11001T/03EE,11 HTRC11001T/03EE,11 037031.pdf NXP USA Inc. Description: IC RFID READER 125KHZ 14SO
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Frequency: 125kHz
Type: RFID Reader
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: 14-SO
auf Bestellung 4206 Stücke
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auf Bestellung 161 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
CBTL06DP213EE,118 CBTL06DP213EE,118 CBTL06DP213.pdf NXP USA Inc. Description: IC MUX 6CH DISPLAY PORT 48TFBGA
Base Part Number: CBTL06DP
Supplier Device Package: 48-TFBGA (5x5)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, 4:1
Applications: DisplayPort, PCIe
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Features: Bi-Directional
-3db Bandwidth: 11.1GHz
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
On-State Resistance (Max): 14Ohm (Typ)
Number of Channels: 6
auf Bestellung 5172 Stücke
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auf Bestellung 12000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
NXP USA Inc. Description: IC MUX 6CH DISPLAY PORT 48TFBGA
On-State Resistance (Max): 14Ohm (Typ)
Applications: DisplayPort, PCIe
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Features: Bi-Directional
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Channels: 6
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, 4:1
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 48-TFBGA (5x5)
-3db Bandwidth: 11.1GHz
auf Bestellung 15665 Stücke
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auf Bestellung 12000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
4+ 7.72 EUR
MKV11Z64VFM7 MKV11Z64VFM7 KV11P64M75.pdf NXP USA Inc. Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32QFN
Base Part Number: MKV11Z64
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Data Converters: A/D 2x16b; D/A 1x12b
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
RAM Size: 16K x 8
Program Memory Type: FLASH
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Number of I/O: 28
Peripherals: DMA, LVD, POR, WDT
Connectivity: CANbus, I²C, SPI, UART/USART
Speed: 75MHz
Core Size: 32-Bit
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Part Status: Active
Packaging: Tray
auf Bestellung 242 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BR100/03,113 BR100/03,113 BR100-03_1.pdf NXP USA Inc. Description: DIAC 28-36V 2A ALF2
Current - Peak Output: 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ALF2
Current - Breakover: 50 µA
Voltage - Breakover: 28 ~ 36V
Operating Temperature: 100°C (TJ)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MCIMX258CJM4AR2 IMX25CEC.pdf NXP USA Inc. Description: I.MX25 32-BIT MPU ARM926EJ-S CO
Supplier Device Package: 400-MAPBGA (17x17)
Package / Case: 400-LFBGA
Security Features: Boot Security, Cryptography, Secure Fusebox, Secure JTAG, Secure Memory, Tamper Detection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - I/O: 2.0V, 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V
USB: USB 2.0 + PHY (2)
Ethernet: 10/100Mbps (1)
Display & Interface Controllers: Keypad, LCD, Touchscreen
Graphics Acceleration: No
RAM Controllers: LPDDR, DDR, DDR2
Speed: 400MHz
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
Core Processor: ARM926EJ-S
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PMBFJ310,215 PMBFJ310,215 PMBFJ308_309_310.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
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PMBFJ177,215 PMBFJ177,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf NXP USA Inc. Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 15601 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ111,215 PMBFJ111,215 PMBFJ111_112_113.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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PMBF4393,215 PMBF4393,215 PMBF4391-4393.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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auf Bestellung 10 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ174,215 PMBFJ174,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf NXP USA Inc. Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Resistance - RDS(On): 85 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
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PMBFJ109,215 PMBFJ109,215 PMBFJ108,109,110.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 12 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40 mA @ 15 V
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PMBFJ113,215 PMBFJ113,215 PMBFJ111_112_113.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
PMBF4392,215 PMBF4392,215 PMBF4391-4393.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 250 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
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auf Bestellung 7260 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ112,215 PMBFJ112,215 PMBFJ111_112_113.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
PMBFJ110,215 PMBFJ110,215 PMBFJ108,109,110.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 18 Ohms
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 8502 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ176,215 PMBFJ176,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf NXP USA Inc. Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Resistance - RDS(On): 250 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
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PMBF4391,215 PMBF4391,215 PMBF4391-4393.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PMBFJ175,215 PMBFJ175,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf NXP USA Inc. Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
FET Type: P-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
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BFR30,215 BFR30,215 BFR30,31.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BFR30,235 BFR30,235 BFR30,31.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
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BFR30,215 BFR30,215 BFR30,31.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BFR31,215 BFR31,215 BFR30,31.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
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BFR31,235 BFR31,235 BFR30,31.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
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BFR31,215 BFR31,215 BFR30,31.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
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PMBFJ620,115 PMBFJ620,115 PMBFJ620.pdf NXP USA Inc. Description: JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Power - Max: 190 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
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auf Bestellung 1353 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ309,215 PMBFJ309,215 PMBFJ308_309_310.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
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auf Bestellung 19551 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ108,215 PMBFJ108,215 PMBFJ108,109,110.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 8 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 mA @ 15 V
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BFT46,215 BFT46,215 BFT46.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.2 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 3000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ308,215 PMBFJ308,215 PMBFJ308_309_310.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
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auf Bestellung 4980 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BSR58,215 BSR58,215 BSR56,57,58.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40V
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
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BSR57,215 BSR57,215 BSR56,57,58.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Base Part Number: BSR5
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J1A012YXS/T1AY404, NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J1A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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J2A012YXS/T1AY403, NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J2A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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J2A020YXS/T0BY425, NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J2A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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J2A040YXS/T0BY424, NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Manufacturer: NXP USA Inc.
Base Part Number: J2A0
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J3A012YXS/T0BY4551 NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J3A0
Part Status: Obsolete
Manufacturer: NXP USA Inc.
Packaging: Tape & Reel (TR)
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J3A040YXS/T0BY4571 NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: NXP USA Inc.
Base Part Number: J3A0
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
J3A080YXS/T0BY4AG0 NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: J3A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
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J2A080GX0/T0BG295, NXP USA Inc. Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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J111,126 J111,126 J111,112,113.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Box (TB)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Supplier Device Package: TO-92-3
Base Part Number: J111
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auf Bestellung 6000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
J177,126 J177,126 J174_175_176_177_CNV.pdf NXP USA Inc. Description: JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Power - Max: 400 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
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J175,116 J175,116 J174_175_176_177_CNV.pdf NXP USA Inc. Description: JFET P-CH 30V 0.4W TO92
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Power - Max: 400 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
FET Type: P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
J112,126 J112,126 J111,112,113.pdf NXP USA Inc. Description: JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 400 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
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BA591,115 BA591,115 BA591.pdf NXP USA Inc. Description: DIODE STANDARD 35V 500MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 500 mW
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auf Bestellung 25061 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BA591,135 BA591,135 BA591.pdf NXP USA Inc. Description: DIODE STANDARD 35V 500MW SOD323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Standard - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BA591,115 BA591,115 BA591.pdf NXP USA Inc. Description: DIODE STANDARD 35V 500MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 500 mW
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auf Bestellung 25061 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP63-03,115 BAP63-03,115 BAP63-03_Rev_Oct2010.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 500mW
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Supplier Device Package: SOD-323
Capacitance @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz
Current - Max: 100mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: PIN - Single
Part Status: Obsolete
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BA891,115 BA891,115 BA891_N.pdf NXP USA Inc. Description: DIODE STANDARD 35V 715MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-523
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 715 mW
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
NXP USA Inc. Description: DIODE STANDARD 35V 715MW SOD523
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-523
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 715 mW
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BAP63-02,115 BAP63-02,115 BAP63-02_Rev4.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 715MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Diode Type: PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Current - Max: 100mA
Capacitance @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Power Dissipation (Max): 715mW
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Supplier Device Package: SOD-523
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BAP50-03,115 BAP50-03,115 BAP50-03.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
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auf Bestellung 3632 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP50-03,135 BAP50-03,135 BAP50-03.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOD-323
Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 10030 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP50-03,115 BAP50-03,115 BAP50-03.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 55 Stücke
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auf Bestellung 3577 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
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BAP64-03,115 BAP64-03,115 BAP64-03.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 175V 500MW SOD323
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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auf Bestellung 8217 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 175V 500MW SOD323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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BAP55LX,315 BAP55LX,315 BAP55LX.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.28pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: DFN1006D-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 135 mW
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NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.28pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: DFN1006D-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 135 mW
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BAP64-05,215 BAP64-05,215 BAP64-05.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
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NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2924 Stücke
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BAP51-03,115 BAP51-03,115 BAP51-03.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 43298 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP64-05W,115 BAP64-05W,115 BAP64-05W.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 240 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
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auf Bestellung 316435 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP64-06W,115 BAP64-06W,115 BAP64-06W.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 240 mW
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auf Bestellung 327071 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP70-02,115 BAP70-02,115 BAP70-02.pdf NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523
Power Dissipation (Max): 415 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-523
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke
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3000+ 0.36 EUR
NXP USA Inc. Description: RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 415 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-523
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
auf Bestellung 5975 Stücke
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33+ 0.81 EUR
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500+ 0.38 EUR
74LVC00ADB,118 74LVC00A.pdf
74LVC00ADB,118
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA 74LVC00ADB - NAND G
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Base Part Number: 74LVC0
auf Bestellung 37675 Stücke
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LPC1786FBD208,551 LPC178X_7X.pdf
LPC1786FBD208,551
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 208LQFP
Package / Case: 208-LQFP
Packaging: Bulk
Number of I/O: 165
Part Status: Active
Supplier Device Package: 208-LQFP (28x28)
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, LCD, Motor Control PWM, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Microwire, Memory Card, SPI, SSI, SSP, UART/USART, USB OTG
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.4V ~ 3.6V
Core Size: 32-Bit Single-Core
Data Converters: A/D 8x12b; D/A 1x10b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
EEPROM Size: 4K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 80K x 8
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
Speed: 120MHz
Mounting Type: Surface Mount
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PCA9539PW,118 PCA9539_PCA9539R.pdf
PCA9539PW,118
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Clock Frequency: 400kHz
Current - Output Source/Sink: 10mA, 25mA
Output Type: Push-Pull
Features: POR
Interrupt Output: Yes
Interface: I²C, SMBus
Number of I/O: 16
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: PCA9539
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
auf Bestellung 4677 Stücke
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FRDM-KE15Z KE1XZ256PB.pdf
FRDM-KE15Z
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: FREEDOM KE1XZ EVAL BRD
Manufacturer: NXP USA Inc.
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Board Type: Evaluation Platform
Type: MCU 32-Bit
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Platform: Freedom
Utilized IC / Part: KE1xZ
Mounting Type: Fixed
Contents: Board(s)
Base Part Number: FRDM-KE15
auf Bestellung 27 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
PXLS81733AESR2
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: 2 AXIS HI/HI YZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Base Part Number: PXLS81
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MC9S08SE8VWL MC9S08SE8.pdf
MC9S08SE8VWL
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC MCU 8BIT 8KB FLASH 28SOIC
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
RAM Size: 512 x 8
Program Memory Size: 8KB (8K x 8)
Speed: 20MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
Number of I/O: 24
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-SOIC
Peripherals: LVD, POR, PWM
Connectivity: LINbus, SCI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 10x10b
Core Processor: S08
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
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IRFZ24N,127 IRFZ24N.pdf
IRFZ24N,127
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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SPC5603BF2VLH4 MPC5604BC.pdf
SPC5603BF2VLH4
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC MCU 32BIT 384KB FLASH 64LQFP
Manufacturer: NXP USA Inc.
Packaging: Tray
Part Status: Active
Core Processor: e200z0h
Core Size: 32-Bit
Speed: 48MHz
Connectivity: CANbus, I²C, LINbus, SCI, SPI
Peripherals: DMA, POR, PWM, WDT
Number of I/O: 45
Program Memory Size: 384KB (384K x 8)
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
RAM Size: 28K x 8
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Data Converters: A/D 12x10b
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Supplier Device Package: 64-LQFP (10x10)
Base Part Number: SPC5603
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auf Bestellung 197 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
TDA8932BTW/N2,118 TDA8932B.pdf
TDA8932BTW/N2,118
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC AMP D MONO/STER 55W 32HTSSOP
Part Status: Not For New Designs
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: 32-TSSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package: 32-HTSSOP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Features: Depop, Differential Inputs, Mute, Short-Circuit and Thermal Protection
Voltage - Supply: 10V ~ 36V, ±5V ~ 18V
Max Output Power x Channels @ Load: 55W x 1 @ 8Ohm; 26.5W x 2 @ 4Ohm
Output Type: 1-Channel (Mono) or 2-Channel (Stereo)
Type: Class D
auf Bestellung 2210 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
PDTC143EE,115 PDTC143E_SER.pdf
PDTC143EE,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
auf Bestellung 146921 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15000+ 0.049 EUR
HTRC11001T/03EE,11 037031.pdf
HTRC11001T/03EE,11
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC RFID READER 125KHZ 14SO
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Frequency: 125kHz
Type: RFID Reader
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: 14-SO
auf Bestellung 4206 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 161 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
CBTL06DP213EE,118 CBTL06DP213.pdf
CBTL06DP213EE,118
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC MUX 6CH DISPLAY PORT 48TFBGA
Base Part Number: CBTL06DP
Supplier Device Package: 48-TFBGA (5x5)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, 4:1
Applications: DisplayPort, PCIe
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Features: Bi-Directional
-3db Bandwidth: 11.1GHz
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
On-State Resistance (Max): 14Ohm (Typ)
Number of Channels: 6
auf Bestellung 5172 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 27665 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
CBTL06DP213EE,118 CBTL06DP213.pdf
CBTL06DP213EE,118
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC MUX 6CH DISPLAY PORT 48TFBGA
On-State Resistance (Max): 14Ohm (Typ)
Applications: DisplayPort, PCIe
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Features: Bi-Directional
Packaging: Cut Tape (CT)
Number of Channels: 6
Part Status: Active
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, 4:1
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 48-TFBGA (5x5)
-3db Bandwidth: 11.1GHz
auf Bestellung 15665 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 17172 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
4+ 7.72 EUR
MKV11Z64VFM7 KV11P64M75.pdf
MKV11Z64VFM7
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32QFN
Base Part Number: MKV11Z64
Supplier Device Package: 32-QFN (5x5)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Data Converters: A/D 2x16b; D/A 1x12b
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
RAM Size: 16K x 8
Program Memory Type: FLASH
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Number of I/O: 28
Peripherals: DMA, LVD, POR, WDT
Connectivity: CANbus, I²C, SPI, UART/USART
Speed: 75MHz
Core Size: 32-Bit
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Part Status: Active
Packaging: Tray
auf Bestellung 242 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BR100/03,113 BR100-03_1.pdf
BR100/03,113
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIAC 28-36V 2A ALF2
Current - Peak Output: 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ALF2
Current - Breakover: 50 µA
Voltage - Breakover: 28 ~ 36V
Operating Temperature: 100°C (TJ)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MCIMX258CJM4AR2 IMX25CEC.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: I.MX25 32-BIT MPU ARM926EJ-S CO
Supplier Device Package: 400-MAPBGA (17x17)
Package / Case: 400-LFBGA
Security Features: Boot Security, Cryptography, Secure Fusebox, Secure JTAG, Secure Memory, Tamper Detection
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - I/O: 2.0V, 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V
USB: USB 2.0 + PHY (2)
Ethernet: 10/100Mbps (1)
Display & Interface Controllers: Keypad, LCD, Touchscreen
Graphics Acceleration: No
RAM Controllers: LPDDR, DDR, DDR2
Speed: 400MHz
Number of Cores/Bus Width: 1 Core, 32-Bit
Core Processor: ARM926EJ-S
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PMBFJ310,215 PMBFJ308_309_310.pdf
PMBFJ310,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
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PMBFJ177,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf
PMBFJ177,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 15601 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ111,215 PMBFJ111_112_113.pdf
PMBFJ111,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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PMBF4393,215 PMBF4391-4393.pdf
PMBF4393,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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auf Bestellung 10 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ174,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf
PMBFJ174,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Resistance - RDS(On): 85 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
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PMBFJ109,215 PMBFJ108,109,110.pdf
PMBFJ109,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 12 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40 mA @ 15 V
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PMBFJ113,215 PMBFJ111_112_113.pdf
PMBFJ113,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PMBF4392,215 PMBF4391-4393.pdf
PMBF4392,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 250 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
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auf Bestellung 7260 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ112,215 PMBFJ111_112_113.pdf
PMBFJ112,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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PMBFJ110,215 PMBFJ108,109,110.pdf
PMBFJ110,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 18 Ohms
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 8502 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ176,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf
PMBFJ176,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Resistance - RDS(On): 250 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2 mA @ 15 V
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PMBF4391,215 PMBF4391-4393.pdf
PMBF4391,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 1 nA
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PMBFJ175,215 PMBFJ174_175_176_177_CNV.pdf
PMBFJ175,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
FET Type: P-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
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BFR30,215 BFR30,31.pdf
BFR30,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BFR30,235 BFR30,31.pdf
BFR30,235
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BFR30,215 BFR30,31.pdf
BFR30,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BFR31,215 BFR30,31.pdf
BFR31,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BFR31,235 BFR30,31.pdf
BFR31,235
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BFR31,215 BFR30,31.pdf
BFR31,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 0.5 nA
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PMBFJ620,115 PMBFJ620.pdf
PMBFJ620,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 1 µA
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Power - Max: 190 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24 mA @ 10 V
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auf Bestellung 1353 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ309,215 PMBFJ308_309_310.pdf
PMBFJ309,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 19551 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ108,215 PMBFJ108,109,110.pdf
PMBFJ108,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Resistance - RDS(On): 8 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 mA @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BFT46,215 BFT46.pdf
BFT46,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.2 V @ 0.5 nA
Power - Max: 250 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 3000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
PMBFJ308,215 PMBFJ308_309_310.pdf
PMBFJ308,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 250 mW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 4980 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BSR58,215 BSR56,57,58.pdf
BSR58,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40V
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BSR57,215 BSR56,57,58.pdf
BSR57,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Base Part Number: BSR5
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
J1A012YXS/T1AY404,
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J1A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
J2A012YXS/T1AY403,
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J2A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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J2A020YXS/T0BY425,
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J2A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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J2A040YXS/T0BY424,
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Manufacturer: NXP USA Inc.
Base Part Number: J2A0
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J3A012YXS/T0BY4551
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Base Part Number: J3A0
Part Status: Obsolete
Manufacturer: NXP USA Inc.
Packaging: Tape & Reel (TR)
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J3A040YXS/T0BY4571
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: NXP USA Inc.
Base Part Number: J3A0
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J3A080YXS/T0BY4AG0
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Part Number: J3A0
Manufacturer: NXP USA Inc.
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J2A080GX0/T0BG295,
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: TRANSISTOR JFET 8PLLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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J111,126 J111,112,113.pdf
J111,126
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Box (TB)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Supplier Device Package: TO-92-3
Base Part Number: J111
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auf Bestellung 6000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
J177,126 J174_175_176_177_CNV.pdf
J177,126
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
FET Type: P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Power - Max: 400 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
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J175,116 J174_175_176_177_CNV.pdf
J175,116
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET P-CH 30V 0.4W TO92
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Power - Max: 400 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
FET Type: P-Channel
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J112,126 J111,112,113.pdf
J112,126
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 400 mW
Resistance - RDS(On): 50 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
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BA591,115 BA591.pdf
BA591,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE STANDARD 35V 500MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 500 mW
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auf Bestellung 25061 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BA591,135 BA591.pdf
BA591,135
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE STANDARD 35V 500MW SOD323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Standard - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BA591,115 BA591.pdf
BA591,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE STANDARD 35V 500MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 500 mW
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auf Bestellung 25061 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP63-03,115 BAP63-03_Rev_Oct2010.pdf
BAP63-03,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 500mW
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Supplier Device Package: SOD-323
Capacitance @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz
Current - Max: 100mA
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Diode Type: PIN - Single
Part Status: Obsolete
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BA891,115 BA891_N.pdf
BA891,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE STANDARD 35V 715MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-523
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 715 mW
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auf Bestellung 18808 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BA891,115 BA891_N.pdf
BA891,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE STANDARD 35V 715MW SOD523
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-79, SOD-523
Diode Type: Standard - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
Resistance @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: SOD-523
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 715 mW
auf Bestellung 18808 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BAP63-02,115 BAP63-02_Rev4.pdf
BAP63-02,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 715MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Diode Type: PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Current - Max: 100mA
Capacitance @ Vr, F: 0.32pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 100mA, 100MHz
Power Dissipation (Max): 715mW
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Supplier Device Package: SOD-523
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BAP50-03,115 BAP50-03.pdf
BAP50-03,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
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auf Bestellung 3632 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP50-03,135 BAP50-03.pdf
BAP50-03,135
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOD-323
Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 10030 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP50-03,115 BAP50-03.pdf
BAP50-03,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 55 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 3577 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
38+ 0.7 EUR
46+ 0.57 EUR
55+ 0.48 EUR
BAP64-03,115 BAP64-03.pdf
BAP64-03,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 175V 500MW SOD323
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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auf Bestellung 9379 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP64-03,115 BAP64-03.pdf
BAP64-03,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 175V 500MW SOD323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1162 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 8217 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
23+ 1.14 EUR
31+ 0.85 EUR
36+ 0.74 EUR
100+ 0.48 EUR
250+ 0.4 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.3 EUR
BAP55LX,315 BAP55LX.pdf
BAP55LX,315
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.28pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: DFN1006D-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 135 mW
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auf Bestellung 754 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP55LX,315 BAP55LX.pdf
BAP55LX,315
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.28pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 800mOhm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Supplier Device Package: DFN1006D-2
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 135 mW
auf Bestellung 754 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BAP64-05,215 BAP64-05.pdf
BAP64-05,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
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auf Bestellung 14543 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP64-05,215 BAP64-05.pdf
BAP64-05,215
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
Power Dissipation (Max): 250 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Peak Reverse (Max): 175V
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2924 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 11619 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
31+ 0.86 EUR
37+ 0.71 EUR
40+ 0.65 EUR
100+ 0.48 EUR
250+ 0.44 EUR
500+ 0.43 EUR
BAP51-03,115 BAP51-03.pdf
BAP51-03,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
Power Dissipation (Max): 500 mW
Current - Max: 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 43298 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP64-05W,115 BAP64-05W.pdf
BAP64-05W,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 240 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
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auf Bestellung 316435 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP64-06W,115 BAP64-06W.pdf
BAP64-06W,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Obsolete
Current - Max: 100 mA
Power Dissipation (Max): 240 mW
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 327071 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
BAP70-02,115 BAP70-02.pdf
BAP70-02,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523
Power Dissipation (Max): 415 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-523
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 5975 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
3000+ 0.36 EUR
BAP70-02,115 BAP70-02.pdf
BAP70-02,115
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 415 mW
Current - Max: 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-523
Voltage - Peak Reverse (Max): 50V
Resistance @ If, F: 1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: PIN - Single
Package / Case: SC-79, SOD-523
auf Bestellung 5975 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 3000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
25+ 1.07 EUR
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36+ 0.73 EUR
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