Technische Details BUK7K17-80EX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 21, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125, Verlustleistung Pd: 64, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung, p-Kanal: 64, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote BUK7K17-80EX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK7K17-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BUK7K17-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 21 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung Pd: 64 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| BUK7K17-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 42mΩ Drain current: 15A Drain-source voltage: 80V Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Gate charge: 32.4nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 64W Pulsed drain current: 84A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
BUK7K17-80EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BUK7K17-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BUK7K17-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BUK7K17-80EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BUK7K17-80E/SOT1205/LFPAK56D |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| BUK7K17-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 15A; Idm: 84A; 64W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 42mΩ Drain current: 15A Drain-source voltage: 80V Kind of package: reel; tape Case: LFPAK33; SOT1210 Gate charge: 32.4nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 64W Pulsed drain current: 84A |
Produkt ist nicht verfügbar |