BUK7K17-80EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BUK7K17-80EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 21, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125, Verlustleistung Pd: 64, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung, p-Kanal: 64, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1205, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote BUK7K17-80EX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BUK7K17-80EX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 64W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BUK7K17-80EX | Nexperia |
MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 21A |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BUK7K17-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 21 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung Pd: 64 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BUK7K17-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BUK7K17-80EX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D |
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK7K17-80EX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 80V 21A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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| BUK7K17-80EX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 21A
MOSFETs SOT1205 2NCH 80V 21A
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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| BUK7K17-80EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 21
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung Pd: 64
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 21
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung Pd: 64
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BUK7K17-80EX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BUK7K17-80EX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D
Trans MOSFET N-CH 80V 21A Automotive 8-Pin LFPAK-D
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen
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