C3M0075120K Wolfspeed
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| 9+ | 17.77 EUR |
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Technische Details C3M0075120K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote C3M0075120K nach Preis ab 16.08 EUR bis 50.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : MACOM |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 959 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 3408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed |
1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: C3M™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 30A Power dissipation: 113.6W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -8...19V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Reverse recovery time: 18ns |
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