C3M0075120K Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 14.64 EUR |
| 30+ | 8.6 EUR |
| 120+ | 7.27 EUR |
| 510+ | 6.3 EUR |
| 1020+ | 6.12 EUR |
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Technische Details C3M0075120K Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 119W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Weitere Produktangebote C3M0075120K nach Preis ab 9.47 EUR bis 32.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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C3M0075120K | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : MACOM |
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0075120K | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 119W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: C3M productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 4236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |