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C3M0075120K

C3M0075120K Wolfspeed

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Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details C3M0075120K Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 119W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: C3M, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120k_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120k_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120k_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed Wolfspeed_C3M0075120K_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
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C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0075120K_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
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C3M0075120K C3M0075120K WOLFSPEED CREE-S-A0015064602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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C3M0075120K C3M0075120K Wolfspeed wolfspeed_c3m0075120k_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120K C3M0075120K MACOM Wolfspeed_C3M0075120K_data_sheet.pdf MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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C3M0075120K
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SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
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Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
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C3M0075120K
Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
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