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C3M0120100J

C3M0120100J Wolfspeed(CREE)


C3M0120100J.pdf Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Reverse recovery time: 16ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
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Technische Details C3M0120100J Wolfspeed(CREE)

Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.

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C3M0120100J C3M0120100J Hersteller : Wolfspeed(CREE) C3M0120100J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 1kV
Reverse recovery time: 16ns
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
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C3M0120100J C3M0120100J Hersteller : MACOM Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
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500+ 17.11 EUR
C3M0120100J C3M0120100J Hersteller : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf SiC MOSFETs 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
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25+ 23.44 EUR
50+ 22.11 EUR
100+ 20.8 EUR
250+ 20.15 EUR
500+ 18.85 EUR
C3M0120100J C3M0120100J Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
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1+27.51 EUR
50+ 22.27 EUR
100+ 20.96 EUR
C3M0120100J Hersteller : Wolfspeed c3m0120100j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
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