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Technische Details C3M0280090D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns Case: TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 20ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 7.5A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns Case: TO247-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 20ns Drain-source voltage: 900V Drain current: 7.5A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Gate charge: 9.5nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -8...19V |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm |
auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V |
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C3M0280090D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
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| C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0280090D Produktcode: 123313 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |