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Technische Details C3M0280090D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C2M, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote C3M0280090D nach Preis ab 4.68 EUR bis 12.28 EUR
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V |
auf Bestellung 8306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm |
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C3M0280090D | Hersteller : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
C3M0280090D THT N channel transistors |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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C3M0280090D Produktcode: 123313
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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C3M0280090D | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
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