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C3M0280090D

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Produktcode: 123313
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
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30+6.12 EUR
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 55 Stücke:
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed wolfspeed_c3m0280090d_data_sheet.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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C3M0280090D C3M0280090D Hersteller : Wolfspeed 31668B0F79CD0CFCA499FC39DEA9E1A1624D7D9B0DF4C4109BBC7A8205A71C33.pdf SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
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