Weitere Produktangebote C3M0280090D nach Preis ab 7.28 EUR bis 16.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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C3M0280090D | Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +18V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V |
auf Bestellung 8306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0280090D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0280090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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C3M0280090D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| C3M0280090D |
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Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
auf Bestellung 8306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.35 EUR |
| 30+ | 7.28 EUR |
| C3M0280090D |
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Hersteller: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 16.84 EUR |
| 16+ | 14.95 EUR |
| 17+ | 13.15 EUR |
| 50+ | 8.44 EUR |
| C3M0280090D |
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Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| C3M0280090D |
![]() |
Hersteller: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)




