CY7C1021D-10VXI

CY7C1021D-10VXI

Hersteller: INFINEON (CYPRESS)
Material: CY7C1021D-10VXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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Technische Details CY7C1021D-10VXI

Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ, Packaging: Tube, Part Status: Active, Memory Type: Volatile, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Size: 1Mb (64K x 16), Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Access Time: 10ns, Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Supplier Device Package: 44-SOJ.

Preis CY7C1021D-10VXI ab 0 EUR bis 0 EUR

CY7C1021D-10VXI
CY7C1021D-10VXI
Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube
962607582274711docid44980.pdf
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CY7C1021D-10VXI
Hersteller:
CY7C1021D-10VXI SRAM 1Mbit (64K x 16) 5V SO44 -40°C to 85°C
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Hersteller: INFINEON (CYPRESS)
Material: CY7C1021D-10VXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
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CY7C1021D-10VXI
CY7C1021D-10VXI
Hersteller: Cypress Semiconductor
SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM
38-05462_CY7C1021D_1_MBIT_64K_X_16_STATIC_RAM-319200.pdf
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CY7C1021D-10VXI
CY7C1021D-10VXI
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tube
Part Status: Active
Memory Type: Volatile
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Size: 1Mb (64K x 16)
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Access Time: 10ns
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
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