DXT3150-13
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Technische Details DXT3150-13
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-89-3, Frequency - Transition: 220MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis DXT3150-13 ab 0 EUR bis 0 EUR
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DXT3150-13 Hersteller: onsemi Bipolar Transistors - BJT 
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 Hersteller: Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo
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DXT3150-13 Hersteller: Diodes Zetex Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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auf Bestellung 93 Stücke  Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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 Hersteller: Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1 W
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Hersteller: Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR)
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