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DXT3904-13

DXT3904-13 Diodes Incorporated

ds31141.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 85000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.3 EUR
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Technische Details DXT3904-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DXT3904-13 DXT3904-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31141.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
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DXT3904-13 DXT3904-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds31141.pdf Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo
auf Bestellung 3925 Stücke:
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112+ 0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 46
DXT3904-13 DXT3904-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DXT3904-13 DXT3904-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS21855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DXT3904-13 DXT3904-13 Hersteller : Diodes Inc 1460ds31141.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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