DXT651-13
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Technische Details DXT651-13
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-89-3, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Preis DXT651-13 ab 0.24 EUR bis 0.84 EUR
 Hersteller: Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN 
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DXT651-13 Hersteller: Diodes Zetex Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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 Hersteller: Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Diodes Incorporated Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA
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