DXT651-13 Diodes Zetex
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Technische Details DXT651-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DXT651-13 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DXT651-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT651-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
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DXT651-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN |
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DXT651-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
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DXT651-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DXT651-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: DXT Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DXT651-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DXT651-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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