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Technische Details ECH8654-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ECH8654-TL-H nach Preis ab 1.33 EUR bis 1.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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ECH8654-TL-H | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECHPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active |
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ECH8654-TL-H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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| ECH8654-TL-H | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 14800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| ECH8654-TL-H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5A 8-Pin ECH T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ECH8654-TL-H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active |
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