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ECH8654-TL-H

ECH8654-TL-H onsemi

ena0981-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
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Technische Details ECH8654-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ECH8654-TL-H ECH8654-TL-H onsemi ENA0981_D-2311027.pdf MOSFETs SWITCHING DEVICE
auf Bestellung 13271 Stücke:
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2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.93 EUR
250+0.79 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
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ECH8654-TL-H ECH8654-TL-H ONSEMI 2578330.pdf Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
241+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
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ECH8654-TL-H ECH8654-TL-H ONSEMI 2578330.pdf Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
241+0.89 EUR
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1000+0.63 EUR
5000+0.55 EUR
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Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: ONSEMI - ECH8654-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A
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euEccn: NLR
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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