EL814M-V
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Technische Details EL814M-V
Description: OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V, Operating Temperature: -55°C ~ 110°C, Mounting Type: Through Hole, Output Type: Transistor, Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm), Packaging: Tube, Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA, Number of Channels: 1, Part Status: Active, Rise / Fall Time (Typ): 7µs, 11µs, Voltage - Output (Max): 80V, Supplier Device Package: 4-DIP, Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 1mA, Vce Saturation (Max): 200mV, Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 1mA, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Input Type: AC, DC.
Preis EL814M-V ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Everlight Electronics Co Ltd Description: OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V Operating Temperature: -55°C ~ 110°C Mounting Type: Through Hole Output Type: Transistor Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm) Packaging: Tube Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA Number of Channels: 1 Part Status: Active Rise / Fall Time (Typ): 7µs, 11µs Voltage - Output (Max): 80V Supplier Device Package: 4-DIP Current Transfer Ratio (Max): 300% @ 1mA Vce Saturation (Max): 200mV Current Transfer Ratio (Min): 20% @ 1mA Voltage - Isolation: 5000Vrms Input Type: AC, DC 
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