EL817(M)(B)-G
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Technische Details EL817(M)(B)-G
Description: OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP, Current Transfer Ratio (Min): 130% @ 5mA, Voltage - Isolation: 5000Vrms, Current - Output / Channel: 50mA, Input Type: DC, Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V, Operating Temperature: -55°C ~ 110°C, Mounting Type: Through Hole, Output Type: Transistor, Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm), Packaging: Tube, Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA, Number of Channels: 1, Part Status: Active, Rise / Fall Time (Typ): 6µs, 8µs, Voltage - Output (Max): 80V, Supplier Device Package: 4-DIP, Current Transfer Ratio (Max): 260% @ 5mA, Vce Saturation (Max): 200mV.
Preis EL817(M)(B)-G ab 0 EUR bis 0 EUR
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EL817(M)(B)-G Hersteller: Everlight Electronics CO., LTD DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin DIP Tube 
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 Hersteller: Everlight Electronics Co Ltd Description: OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 4-DIP Current Transfer Ratio (Min): 130% @ 5mA Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output / Channel: 50mA Input Type: DC Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V Operating Temperature: -55°C ~ 110°C Mounting Type: Through Hole Output Type: Transistor Package / Case: 4-DIP (0.400", 10.16mm) Packaging: Tube Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA Number of Channels: 1 Part Status: Active Rise / Fall Time (Typ): 6µs, 8µs Voltage - Output (Max): 80V Supplier Device Package: 4-DIP Current Transfer Ratio (Max): 260% @ 5mA Vce Saturation (Max): 200mV
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