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ES1DHE3_A/I

ES1DHE3_A/I Vishay


es1.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
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Technische Details ES1DHE3_A/I Vishay

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : Vishay General Semiconductor es1.pdf Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : Vishay es1.pdf Rectifier Diode Switching 200V 1A 15ns Automotive 2-Pin SMA T/R
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : VISHAY es1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 0.92V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Hersteller : VISHAY es1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 0.92V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Capacitance: 10pF
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