ES1JL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details ES1JL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1J, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote ES1JL R3G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
ES1JL R3G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
ES1JL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
ES1JL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
ES1JL R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |