ES1JL R3G Taiwan Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 187+ | 0.94 EUR |
| 274+ | 0.62 EUR |
| 276+ | 0.6 EUR |
| 388+ | 0.4 EUR |
| 392+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details ES1JL R3G Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMD, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ES1J, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ES1JL R3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ES1JL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ES1JL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ES1JL R3G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES1JL R3G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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Stück im Wert von UAH
| ES1JL R3G |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier
Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier
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| ES1JL R3G |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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| ES1JL R3G |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| ES1JL R3G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R
Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


