F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 180A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 960W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 180A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote F4150R12KS4BOSA1 nach Preis ab 441.77 EUR bis 743.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
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F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
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F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray |
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F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 180A 960W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 180 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 960 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V |
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F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 180A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V Verlustleistung Pd: 960W euEccn: NLR Verlustleistung: 960W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 180A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960000mW 26-Pin ECONO3-4 Tray |
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| F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Case: AG-ECONO3-4 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 300A Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Power dissipation: 960W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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| F4150R12KS4BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Case: AG-ECONO3-4 Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 300A Collector current: 150A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Power dissipation: 960W |
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