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F4150R12KS4BOSA1

F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-F4_150R12KS4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4327c115855
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 180A 960W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 960 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 180 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
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Technische Details F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V, Dauer-Kollektorstrom: 180A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V, Verlustleistung Pd: 960W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 180A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES F4150R12KS4BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 960W
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
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F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies 727db_f4_150r12ks4.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileid.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
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F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1 INFINEON INFNS28276-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1.pdf
F4150R12KS4BOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 960W
Technology: EconoPACK™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONO3-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
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F4150R12KS4BOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
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F4150R12KS4BOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - F4150R12KS4BOSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 180 A, 3.2 V, 960 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 180A
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2V
Verlustleistung Pd: 960W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 180A
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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