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FCB070N65S3 ONSEMI

Name: FCB070N65S3
Brand: ONSEMI
SKU: 328966-8
Price: 75.24 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W

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Technische Details FCB070N65S3 ONSEMI

Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FCB070N65S3 nach Preis ab 4.04 EUR bis 10.54 EUR

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Hersteller

Beschreibung

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Preis

FCB070N65S3

Hersteller : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 70mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 312W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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11+	6.84 EUR
14+	5.31 EUR
25+	5.15 EUR

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FCB070N65S3

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V

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800+	5.36 EUR

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FCB070N65S3

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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25+	5.56 EUR
100+	5.03 EUR
250+	4.52 EUR
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FCB070N65S3

Hersteller : onsemi / Fairchild

MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm

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10+	7.16 EUR
100+	5.79 EUR
500+	5.6 EUR
800+	5.47 EUR

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FCB070N65S3

Hersteller : onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V

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2+	9.82 EUR
10+	7.54 EUR
100+	5.86 EUR

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FCB070N65S3

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Anzahl	Preis
14+	10.54 EUR
21+	6.89 EUR
100+	5.31 EUR

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FCB070N65S3

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FCB070N65S3

Hersteller : ONSEMI

auf Bestellung 702 Stücke:

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FCB070N65S3

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FCB070N65S3

Hersteller : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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