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FCB070N65S3
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FCB070N65S3 ONSEMI


fcb070n65s3-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.24 EUR
13+5.61 EUR
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Technische Details FCB070N65S3 ONSEMI

Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FCB070N65S3
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FCB070N65S3 Hersteller : ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Power dissipation: 312W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
10+7.24 EUR
13+5.61 EUR
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : onsemi fcb070n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 232000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 800
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
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19+7.91 EUR
25+5.69 EUR
100+5.15 EUR
250+4.62 EUR
500+4.13 EUR
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : onsemi fcb070n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 232619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.10 EUR
10+7.72 EUR
100+6.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : onsemi / Fairchild fcb070n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
auf Bestellung 2048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.70 EUR
10+8.18 EUR
25+7.37 EUR
100+6.51 EUR
250+6.09 EUR
500+6.05 EUR
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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14+10.79 EUR
21+7.05 EUR
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ONSEMI 2304460.pdf Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ONSEMI 2304460.pdf Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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