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FCB070N65S3

FCB070N65S3 onsemi

fcb070n65s3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+4.81 EUR
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Technische Details FCB070N65S3 onsemi

Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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19+7.64 EUR
25+5.5 EUR
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250+4.47 EUR
500+3.99 EUR
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : onsemi / Fairchild FCB070N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 70mOhm
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1+9.19 EUR
10+7.16 EUR
100+5.79 EUR
500+5.6 EUR
800+5.47 EUR
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 780 Stücke:
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14+10.42 EUR
21+6.81 EUR
100+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : onsemi fcb070n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 1523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.46 EUR
10+7.76 EUR
100+5.89 EUR
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ONSEMI 2304460.pdf Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ONSEMI 2304460.pdf Description: ONSEMI - FCB070N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FCB070N65S3 Hersteller : ONSEMI fcb070n65s3-d.pdf FCB070N65S3 SMD N channel transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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13+5.66 EUR
14+5.35 EUR
100+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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FCB070N65S3 FCB070N65S3 Hersteller : ON Semiconductor fcb070n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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